[发明专利]通过热处理使表面平滑化的工艺有效
| 申请号： | 201280065068.7 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN104011840B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | T.朱安诺;Y.伯古米罗维茨 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/18;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 热处理 表面 平滑 工艺 | ||
1.一种第一基板(3)的粗糙表面(4)的平滑化工艺，包括如下步骤：
提供该第一基板(3)，该第一基板(3)具有该粗糙表面(4)，由半导体合金制造，该半导体合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素；
放置第二基板(6)，第二基板(6)具有面对该第一基板(3)的该粗糙表面(4)的表面，该两个基板(3和6)分离的距离d至少等于10μm，该两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)；
加热该第一基板(3)，以部分地解吸该半导体合金的该元素之一并且在该限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压，并且获得足以降低该粗糙表面(4)的粗糙度的表面原子迁移率。
2.根据权利要求1所述的平滑化工艺，其特征在于该分离距离d小于2mm。
3.根据权利要求1和2之一所述的平滑化工艺，其特征在于该合金是镓砷合金且在高于或等于700℃的温度下执行加热。
4.根据权利要求1和2之一所述的平滑化工艺，其特征在于该合金是铟磷合金且在高于或等于600℃的温度下执行加热。
5.根据权利要求1至4中任何一项所述的平滑化工艺，其特征在于该第二基板(6)的该表面包括基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素的半导体合金。
6.根据权利要求5所述的平滑化工艺，其特征在于该第二基板(6)的该表面是粗糙的，并且同时执行该粗糙表面(4)的平滑化和该第二基板(6)的该表面的平滑化。
7.根据权利要求6所述的平滑化工艺，其特征在于该第二基板(6)的该表面的合金与该第一基板(3)的该粗糙表面(4)的合金相同。
8.根据权利要求1至7中任何一项所述的平滑化工艺，其特征在于该粗糙表面(4)由至少一个楔形物与该第二基板(6)的该表面分离，该至少一个楔形物的厚度至少等于该分离距离d。
9.根据权利要求7所述的平滑化工艺，其特征在于该工艺包括如下步骤：
提供支撑体(7)，该支撑体(7)包括位于该支撑体(7)内的弱化区域(8)；
在该弱化区域的位置分离该支撑体以形成该第一和第二基板(3、6)，该第一基板(3)的该粗糙表面(4)和该第二基板(6)的该表面由该弱化区域(8)形成。
10.根据权利要求9所述的平滑化工艺，其特征在于该弱化区域(8)通过注入氢和/或稀有气体而获得，并且分离包括热处理步骤。
11.根据权利要求9或10所述的平滑化工艺，其特征在于该第一和第二基板(3、6)通过设置在所述基板(3、6)的外围附近的楔形物分离。
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