[发明专利]SOI晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201280061446.4 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103988284B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司;小林德弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，通过使用分批式热处理炉至少在升温中、以及降温中的一方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。由此，通过进行形成大致同心圆形状的氧化膜并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，提供一种能够以高生产率制造改进了面内膜厚分布的SOI晶片的SOI晶片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI晶片的制造方法，具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，将SOI层具有大致同心圆形状的膜厚分布的SOI晶片作为实施上述牺牲氧化处理的SOI晶片，通过使用分批式热处理炉在升温中、以及降温中的任一方或双方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成具有大致同心圆形状的氧化膜厚分布的热氧化膜，以抵消上述大致同心圆形状的膜厚分布。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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