[发明专利]SOI晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201280061446.4 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103988284B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司;小林德弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
1.一种SOI晶片的制造方法，具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，
通过使用分批式热处理炉在升温中、以及降温中的任一方或双方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。
2.根据权利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
将上述牺牲氧化处理中的热氧化在规定温度进行，而且在向该规定温度的升温中、以及从上述规定温度的降温中的任一方或双方也进行。
3.根据权利要求1或2所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
作为上述牺牲氧化处理中的热氧化，利用高热氧化处理或湿式氧化处理。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
通过从由单晶硅构成的键合晶片的表面注入氢离子、稀有气体离子的一种以上的气体离子而形成离子注入层，并将上述键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面隔着绝缘膜贴合之后，在上述离子注入层剥离键合晶片而制造实施上述牺牲氧化处理的SOI晶片。
5.根据权利要求4所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
使用具备旋转体和设置于该旋转体且配置基片的多个晶片保持件并对配置于该晶片保持件且公转的多个基片注入离子的分批式离子注入器来分多次进行上述离子注入，且每次注入离子之后使配置于上述晶片保持件的键合晶片仅自转规定的旋转角度，并在已自转的配置位置进行下一个离子注入。
6.根据权利要求5所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
分两次进行上述离子注入，进行第一次离子注入之后使上述键合晶片自转90度或180度，并在已自转的配置位置进行第二次离子注入。
7.根据权利要求5所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
分四次进行上述离子注入，第二次以后的离子注入在相对于第一次离子注入仅自转90、180、以及270度之一旋转角度的配置位置进行。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
将100nm以下的硅氧化膜作为上述绝缘膜。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的SOI晶片的制造方法，其特征在于，
将上述键合晶片的表面的结晶面与上述离子注入方向之间的角度设定成垂直而进行上述每一次离子注入。
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