[发明专利]检查半导体材料的设备和方法

摘要

一种纳米形貌学测量设备，其包括，输入界面，其设置为接收关于半导体晶片(20)的测量数据组；以及内存，其由第一工作表、第二工作表和结果表构成。计算模块能够从局部梯度值建立当前表面方程。该方程按照下述方法建立，其广泛地最小化当前表面方程计算出的梯度值与局部梯度值之间的偏差量。重构模块从对应于晶片区域的测量数据组计算局部梯度值，并用这些值完成工作表。其重复调用计算模块，每次使用对应于所述晶片区域的小区域的第一工作表和第二工作表的一部分值，以每次确定当前表面方程。其利用对应于该区域的、相对于晶片参考平面的局部高度数据完成结果表，所述局部高度数据从至少某些当前表面方程计算得出。

主权项

用于半导体产品纳米形貌学测量的设备(500)，其特征在于，其包括：输入界面，其被安排为，接收关于半导体晶片(20)的测量数据组；内存，其由第一工作表、第二工作表和结果表构成；控制单元50(50)，包括：计算模块(5320)，其参数为局部梯度值，且其能够从所述局部梯度值建立当前表面方程，所述当前表面方程按下述方法建立，所述当前表面方程全局最小化从所述当前表面方程计算出的梯度值与所述局部梯度值之间的偏差量；重构模块(530)，其被如下安排，用以：从对应于所述半导体晶片(20)的区域(1500)的测量数据组计算局部梯度值，所述局部梯度值对应于所述半导体晶片(20)的第一方向(X)，并用计算出的局部梯度值填充所述第一工作表，从对应于所述半导体晶片(20)的所述区域(1500)的测量数据组计算局部梯度值，所述局部梯度值对应于所述半导体晶片(20)的第二方向(Y)，并用计算出的局部梯度值填充所述第二工作表，重复调用所述计算模块，每次以所述第一工作表和所述第二工作表的值的一部分为参数，以每次确定对应于所述参数的当前表面方程,所述第一和第二工作表对应于所述晶片的所述区域(1500)的小区域(1602，1604，1606，1608)，用对应于所述晶片区域(1500)的、相对于所述晶片参考平面的局部高度数据填充所述结果表，其中所述局部高度数据从至少一些所述当前表面方程计算得到。