[发明专利]半导体装置

摘要

在一种半导体装置中，第一组中的栅极电极(7a)与第一栅极焊盘(9a)连接，第二组中的栅极电极(7b)与第二栅极焊盘(9b)连接。可以通过所述第一栅极焊盘(9a)和所述第二栅极焊盘(9b)彼此独立地控制所述第一组中的栅极电极(7a)和所述第二组中的栅极电极(7b)。在关断时，在将不形成反型层(15)的关断电压施加于所述第二组中的栅极电极(7b)之后，将不形成反型层(15)的关断电压施加于所述第一组中的栅极电极(7a)。

主权项

一种半导体装置，包括：第一导电型的集电极层(1)；第二导电型的漂移层(3)，所述第二导电型的漂移层形成在所述集电极层(1)的上方；第一导电型的基极层(4)，所述第一导电型的基极层形成在所述漂移层(3)的上方；多个沟槽(5)，所述多个沟槽穿过所述基极层(4)而到达所述漂移层(3)并沿预定方向延伸；多个栅极绝缘膜(6)，所述多个栅极绝缘膜分别形成在所述沟槽(5)的壁表面上；多个栅极电极(7a，7b)，所述多个栅极电极分别形成在所述栅极绝缘膜(6)上，所述栅极电极(7a，7b)包括第一组中的所述栅极电极(7a)和第二组中的所述栅极电极(7b)；第二导电型的多个发射极层(10)，所述第二导电型的多个发射极层形成在所述基极层(4)的表面部分中的所述沟槽(5)的侧部处；发射极电极(13)，所述发射极电极与所述发射极层(10)电气连接；集电极电极(14)，所述集电极电极与所述集电极层(1)电气连接；第一栅极焊盘(9a)，所述第一栅极焊盘与所述第一组中的所述栅极电极(7a)连接；以及第二栅极焊盘(9b)，所述第二栅极焊盘与所述第二组中的所述栅极电极(7b)连接，其中，当将在所述基极层(4)中的与所述栅极绝缘膜(6)接触的部分处形成反型层(15)所利用的开启电压施加到所述栅极电极(7a，7b)时，电流在所述发射极电极(13)和所述集电极电极(14)之间流动，其中，能够通过所述第一栅极焊盘(9a)和所述第二栅极焊盘(9b)以彼此独立的方式控制所述第一组中的所述栅极电极(7a)和所述第二组中的所述栅极电极(7b)，并且其中，在关断所述半导体装置时，在将不形成所述反型层(15)的关断电压施加到所述第二组中的所述栅极电极(7b)之后，将不形成所述反型层(15)的关断电压施加到所述第一组中的所述栅极电极(7a)。