[发明专利]有机半导体元件的制造方法、有机半导体元件、有机单晶体薄膜的成长方法、有机单晶体薄膜、电子设备及有机单晶体薄膜组无效
| 申请号： | 201280052849.2 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103907178A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 后藤修;保原大介;村上洋介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种用于使诸如有机半导体单晶体薄膜的有机单晶体薄膜成长的方法，所述方法允许控制有机单晶体薄膜的位置、尺寸、晶体方位等。包括有机化合物的有机半导体单晶体薄膜通过以下方式成长：将通过在溶剂中溶解有机化合物所制备的不饱和的有机溶液供应给基板(11)的成长控制区域(P1)和成核控制区域(P2)，所述基板具有在其一个主平面上的成长控制区域和形成在成长控制区域的一边上的并且连接至成长控制区域的至少一个成核控制区域；以及接着蒸发有机溶液的溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 元件 制造 方法 有机 单晶体 薄膜 成长 电子设备 | ||
【主权项】：
一种有机半导体元件的制造方法，包括：将通过在溶剂中溶解有机化合物而获得的不饱和的有机溶液供应给基体的成长控制区域和至少一个成核控制区域，所述基体在一个主平面上具有所述成长控制区域和与所述成长控制区域耦接并被设置在所述成长控制区域的一边上的所述成核控制区域；以及通过蒸发所述有机溶液的溶剂来允许由所述有机化合物组成的有机半导体单晶体薄膜成长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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