[发明专利]有机半导体元件的制造方法、有机半导体元件、有机单晶体薄膜的成长方法、有机单晶体薄膜、电子设备及有机单晶体薄膜组

权利要求书

1.一种有机半导体元件的制造方法，包括：

将通过在溶剂中溶解有机化合物而获得的不饱和的有机溶液供应给基体的成长控制区域和至少一个成核控制区域，所述基体在一个主平面上具有所述成长控制区域和与所述成长控制区域耦接并被设置在所述成长控制区域的一边上的所述成核控制区域；以及

通过蒸发所述有机溶液的溶剂来允许由所述有机化合物组成的有机半导体单晶体薄膜成长。

2.根据权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，通过蒸发所述有机溶液的所述溶剂，将所述成长控制区域中的所述有机溶液的状态配置为在所述有机溶液的溶解度-超溶解度图中的溶解度曲线与超溶解度曲线之间的亚稳定区域，并且将所述成核控制区域中的所述有机溶液的状态配置为所述溶解度-超溶解度图中的超溶解度曲线的下侧的不稳定区域。

3.根据权利要求2所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，通过由于从所述成核控制区域中的所述有机溶液成核所形成的晶核的成长而获得的唯一的一个晶体来封堵所述成核控制区域，以及

其中，允许晶体在所述成长控制区域上成长。

4.根据权利要求3所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述有机溶液被保持在恒定温度下。

5.根据权利要求4所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述成长控制区域和所述成核控制区域具有亲液表面。

6.根据权利要求5所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述成核控制区域具有与所述成长控制区域耦接并且相对于所述成长控制区域的一边倾斜90°±10°的直线形状的第一部分。

7.根据权利要求6所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述第一部分的宽度不小于0.1μm并且不大于50μm。

8.根据权利要求7所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述成长控制区域是长方形，以及

其中，所述成核控制区域的所述第一部分是被设置在所述成长控制区域的一个长边上并且垂直于所述长边、并且小于所述成长控制区域的长方形。

9.根据权利要求6所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述成核控制区域具有与所述第一部分耦接并且相对于所述一边倾斜的直线形状的第二部分。

10.根据权利要求5所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述成核控制区域具有与所述成长控制区域耦接并在所述一边上具有第一边的三角形形状的第三部分；以及与所述第三部分耦接并相对于所述一边倾斜的直线形状的第四部分。

11.根据权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述有机半导体单晶体薄膜在基本上平行于所述基体的所述一个主平面的方向上具有π电子堆叠结构。

12.根据权利要求11所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述有机半导体单晶体薄膜具有三斜、单斜、斜方或正方晶体结构并且在a轴方向上或b轴方向上具有π电子堆叠结构。

13.根据权利要求12所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，所述成长控制区域上的所述有机半导体单晶体薄膜具有顶角为82°的第一顶点和顶角为98°的第二顶点的四角形形状或五角形形状。

14.根据权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，

其中，将多个成长控制区域彼此分离地设置在所述基体的所述一个主平面上，

其中，将所述成长控制区域中的至少两个成长控制区域设置为彼此相对，以及

其中，将多个成核控制区域设置在两个成长控制区域的彼此相对的每个边上，使得所述成核控制区域彼此不重叠。

15.一种有机半导体元件，通过以下方式制造：

将通过在溶剂中溶解有机半导体而获得的不饱和的有机溶液供应给基体的成长控制区域和至少一个成核控制区域，所述基体在一个主平面上具有所述成长控制区域和与所述成长控制区域耦接并被设置在所述成长控制区域的一边上的所述成核控制区域；以及

通过蒸发所述有机溶液的所述溶剂来允许由所述有机半导体组成的有机半导体单晶体薄膜成长。