[发明专利]有机半导体元件的制造方法、有机半导体元件、有机单晶体薄膜的成长方法、有机单晶体薄膜、电子设备及有机单晶体薄膜组

说明书

技术领域

本公开涉及有机半导体元件的制造方法、有机半导体元件、有机单晶体薄膜的成长方法、有机单晶体薄膜、电子设备及有机单晶体薄膜组。

背景技术

近年来，已经使用有机半导体晶体薄膜广泛地引领有机半导体元件的研究和开发。对于有机半导体元件来说重要的是控制有机半导体晶体薄膜的位置、尺寸、晶体方位等。

传统上，已对有机半导体晶体薄膜的成长方法提出了下面的方法(参见非专利文献1)。即，其为挡片(barrage)的硅片被设置在在其表面上形成SiO2膜的掺杂的硅基板上。在其中硅基板相对于水平平面倾斜状态下，由包含[1]苯并噻吩[3,2-b]苯并噻吩衍生物(C8-BTBT)的原料溶液组成的液滴被保持在硅片的下边缘上。然后，液滴被干燥，由此，允许由C₈-BTBT组成的有机半导体晶体薄膜从液滴的下侧朝其上侧在硅片上成长。据报道，这种有机半导体晶体薄膜获得了高电子迁移率(5cm²/Vs)。

参考文献列表

专利文献

专利文献1：JP2010-6794A

非专利文献

非专利文献1：T.Uemura,Y.Hirose,M.Uno,K.Takimiya和J.Takeya:Applied Physics Express2(2009)111501

非专利文献2：N.Kobayashi,M.Sasaik和K.Nomoto:Chem.Mater.21(2009)552

发明内容

技术问题

然而，在非专利文献1中提出的有机半导体晶体薄膜的传统的成长方法具有完全不能控制位置、尺寸和晶体方位的缺点。

因此，根据本公开的要解决的问题提供了有机单晶体薄膜的成长方法和有机单晶体薄膜，该方法能够控制各种有机单晶体薄膜(诸如有机半导体单晶体薄膜)的位置、尺寸、结晶方位等。

根据本公开要解决的另一个问题提供了使用上述的有机单晶体薄膜的成长方法的有机半导体元件的制造方法、使用允许通过该成长方法成长的有机半导体单晶体薄膜的有机半导体元件。

根据本公开要解决的又一个问题提供了一种使用上述有机半导体元件的电子设备。

根据本公开要解决的又一个问题提供了一种有机单晶体薄膜组，其中诸如有机半导体单晶体薄膜的各种有机单晶体薄膜的晶体方位彼此一致。问题的解决方案

为了解决上述问题，本公开提供了一种有机半导体元件的制造方法，包括：将通过在溶剂中溶解有机化合物所获得的不饱和的有机溶液供应给基体的成长控制区域和至少一个成核控制区域的步骤，基体在一个主平面上具有述成长控制区域和与成长控制区域耦接并被设置在成长控制区域的一边上的成核控制区域；以及通过蒸发有机溶液的溶剂允许由有机化合物组成的有机半导体单晶体薄膜成长的步骤。

进一步地，本公开提供了有机半导体元件，其通过以下方式制造：将通过在溶剂中溶解有机化合物所获得的不饱和的有机溶液供应给基体的成长控制区域和至少一个成核控制区域，基体在一个主平面上具有成长控制区域和与成长控制区域耦接并被设置在成长控制区域的一边上的成核控制区域；以及通过蒸发有机溶液的溶剂允许由有机半导体组成的有机化合物单晶体薄膜成长。

进一步地，本公开提供了一种具有通过以下方式制造的有机半导体元件的电子设备：将通过在溶剂中溶解有机化合物所获得的不饱和的有机溶液供应给基体的成长控制区域和至少一个成核控制区域，基体在一个主平面上具有成长控制区域和与成长控制区域耦接并被设置在成长控制区域的一边上的成核控制区域；以及通过蒸发有机溶液的溶剂允许由有机化合物组成的有机半导体单晶体薄膜成长。