[发明专利]钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物有效
| 申请号： | 201280051864.5 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103890234A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 申孝燮;金世训;李恩庆;柳炫圭 | 申请（专利权）人： | 易安爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/26;C23F1/30 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红 |
| 地址： | 韩国首尔市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物，尤其是一种用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，基于整体组合物总重量，其包含：5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2重量百分比%的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。本发明的目的在于，对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜与铟氧化膜的多重膜进行蚀刻时，控制析出物的生成，提高蚀刻设备的耐久性，可最大程度地减小对用于TFT源极和漏极的铜的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 氧化 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
一种用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，其特征在于，基于整体组合物总重量，包含：5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2%重量百分比的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。
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