[发明专利]钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜及铟氧化膜进行蚀刻时，在蚀刻工程中，控制析出物的生成，提高铜腐蚀抑制性能的用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物。

背景技术

在半导体装置及TFT-LCD等液晶显示器的像素电极上，使用钼合金膜、铟氧化膜等单一膜或是钼合金膜与铟氧化膜的多重膜。所述像素电极一般是通过以溅射等方法在基板上积层，在其上均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。

使用相同的蚀刻液对上述钼合金膜及铟氧化膜进行蚀刻时，虽然可以简化制造工程，但是一般来说钼合金膜的耐化学性良好，存在不易湿式蚀刻的问题；另外，为了蚀刻铟氧化膜所使用的乙二酸系列的蚀刻液，是无法蚀刻钼合金膜的。

在以往技术中，韩国专利公开公报第2008-0045853号、专利公开公报第2008-0045854号、专利公开公报第2008-0107502号中公开了一种蚀刻液，但是在使用以往技术的蚀刻液对钼合金膜和铟氧化膜进行蚀刻时，蚀刻液和金属膜之间发生化学反应，会生成析出物，导致像素不良等问题。另外，在持续使用时，还存在蚀刻设备工程时间及耐久性低下等问题。此外，用于下部TFT源极及漏极的铜膜的腐蚀抑制性能也并不完全，从而使一部分铜模被腐蚀，出现整体部件的收率较低等问题。

为了最大程度地减少，甚至是杜绝蚀刻液与钼合金膜及铟氧化膜之间可产生析出物的化学反应，则需要开发出一种可改善下部铜膜的腐蚀抑制性能，并用于钼合金膜、铟氧化膜及钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜及钼合金膜和铟氧化膜的多重膜进行蚀刻时，在蚀刻工程中，控制析出物的生成，提高蚀刻设备的耐久性，可最大程度地减小对用于TFT源极和漏极的铜的腐蚀的蚀刻液组合物。

为了实现上述发明目的，本发明的用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，基于整体组合物总重量，包含：5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2%重量百分比的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。

本发明的有益效果是，本发明提供了一种对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜及钼合金膜和铟氧化膜的多重膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，在蚀刻钼合金膜、铟氧化膜及钼合金膜和铟氧化膜的多重膜时，可控制析出物的生成，提高像素电极的蚀刻工程的信赖性及蚀刻设备的耐久性，从而稳定地进行蚀刻工程。另外，少量的腐蚀抑制剂组合可以提高下部源极及漏极的铜腐蚀抑制性能。

附图说明

图1是使用本发明实施例11的蚀刻液组合物对钼钛合金膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；

图2是使用本发明实施例11的蚀刻液组合物对铟锡氧化膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；

图3是使用本发明实施例11的蚀刻液组合物对铜/钼合金膜进行处理后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；

图4是使用本发明对比例1的蚀刻液组合物对铜/钼合金膜进行处理后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；

图5是在本发明实施例11的蚀刻液组合物中，分别放入1000ppm的钼钛合金及铟锡氧化物进行搅拌后的药液的照片；

图6是在本发明对比例1的蚀刻液组合物中，分别放入1000ppm的钼钛合金及铟锡氧化物进行搅拌后，生成析出物的药液的照片。

具体实施方式

在TFT-LCD像素电极上，使用钼合金膜及铟氧化膜等单一膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜，本发明的蚀刻液组合物可以蚀刻钼合金膜、铟氧化膜及钼合金膜与铟氧化膜构成的多重膜，采用相同的蚀刻液组合物可以蚀刻钼合金膜、铟氧化膜及钼合金膜与铟氧化膜构成的多重膜，可使蚀刻设备等简易化，另外还具有使TFT-LCD制造工程简易化的优点。

所述钼合金膜可以是和多种金属的合金，优选为钛合金；所述铟氧化膜可优选为铟锡氧化膜（ITO）或铟锌氧化膜（IZO）。