[发明专利]晶圆级应用的RF屏蔽部在审
| 申请号： | 201280049911.2 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103858227A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 克拉克·戴维;西奥多·G·特斯耶尔 | 申请（专利权）人： | 弗利普芯片国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李静 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一种在集成电路芯片上形成芯片上型RF屏蔽部的方法的一个实施例包括：提供单个化之前的具有前侧和背侧的晶圆级集成电路部件晶圆；在晶圆的背侧上施加树脂金属层；以及将晶圆分离成分立的RF屏蔽部件。在单个化，即，在将晶圆分离成分立的RF屏蔽部件之后，位于背侧上的树脂金属层有效地用作RF屏蔽部。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 应用 rf 屏蔽 | ||
【主权项】：
一种在集成电路芯片上形成芯片上型RF屏蔽部的方法，包括：提供具有前侧和背侧的晶圆级集成电路部件晶圆；在所述晶圆的至少背侧上施加树脂金属层；以及将所述晶圆分离成分立的RF屏蔽部件。
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