[发明专利]具有增加可靠性的高功率半导体电子部件有效
| 申请号： | 201280049496.0 | 申请日： | 2012-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103918069A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 拉柯许·K·拉尔;罗伯特·科菲;吴毅锋;普里米特·帕里克;尤瓦扎·多拉;乌梅什·米什拉;斯拉班缇·乔杜里;尼古拉斯·费希滕鲍姆 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子部件，其包括耗尽型晶体管、增强型晶体管和电阻器。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极分别电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增加 可靠性 功率 半导体 电子 部件 | ||
【主权项】：
一种电子部件，包括：具有第一击穿电压的增强型晶体管，所述增强型晶体管包括第一源极、第一栅极和第一漏极；具有大于所述第一击穿电压的第二击穿电压的耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管包括第二源极、第二栅极和第二漏极；以及包括第一端子和第二端子的电阻器，其中，所述第二端子和所述第二源极电连接到所述第一漏极，并且所述第一端子电连接到所述第一源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
