[发明专利]具有增加可靠性的高功率半导体电子部件

权利要求书

1.一种电子部件，包括：

具有第一击穿电压的增强型晶体管，所述增强型晶体管包括第一源极、第一栅极和第一漏极；

具有大于所述第一击穿电压的第二击穿电压的耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管包括第二源极、第二栅极和第二漏极；以及

包括第一端子和第二端子的电阻器，其中，

所述第二端子和所述第二源极电连接到所述第一漏极，并且所述第一端子电连接到所述第一源极。

2.如权利要求1所述的电子部件，其中，所述第二栅极电连接到所述第一源极。

3.如权利要求1所述的电子部件，其中，所述增强型晶体管是低压器件，并且所述耗尽型晶体管是高压器件。

4.如权利要求1所述的电子部件，其中，所述第二击穿电压是所述第一击穿电压的至少3倍。

5.如权利要求1所述的电子部件，其中，所述增强型晶体管或所述耗尽型晶体管是III-N器件。

6.如权利要求1所述的电子部件，其中，所述增强型晶体管是硅基晶体管，并且所述耗尽型晶体管是III-N晶体管。

7.如权利要求1所述的电子部件，所述增强型晶体管具有阈值电压，其中，

所述电阻器的电阻足够小到以至与缺少该电阻器的电子部件相比，将偏置所述电子部件时的相对于所述第一源极的所述第一漏极的电压减小到以使得：相对于所述第一源极的所述第一栅极的电压小于所述增强型晶体管的所述阈值电压，并且相对于所述第一源极的所述第二漏极的电压大于所述第一击穿电压且小于所述第二击穿电压。

8.如权利要求1所述的电子部件，所述增强型晶体管具有阈值电压，其中，

当偏置所述电子部件以使得相对于所述第一源极的所述第一栅极的电压小于所述增强型晶体管的所述阈值电压并且相对于所述第一源极的所述第二漏极的电压大于所述第一击穿电压且小于所述第二击穿电压时，第一关断状态泄漏电流流过所述耗尽型晶体管，并且小于所述第一关断状态泄漏电流的第二关断状态泄漏电流流过所述增强型晶体管；以及

在第一温度，所述电阻器的电阻小于所述第一击穿电压除以在所述第二关断状态泄漏电流和所述第一关断状态泄漏电流之间的差。

9.如权利要求1所述的电子部件，所述增强型晶体管具有阈值电压，其中，

当偏置所述电子部件以使得相对于所述第一源极的所述第一栅极的电压小于所述增强型晶体管的所述阈值电压并且相对于所述第一源极的所述第二漏极的电压大于所述第一击穿电压且小于所述第二击穿电压时，第一关断状态泄漏电流流过所述耗尽型晶体管的所述第二源极，以及小于所述第一关断状态泄漏电流的第二关断状态泄漏电流流过所述增强型晶体管的所述第一漏极；以及

在第一温度，所述电阻器的电阻小于所述第一击穿电压除以在所述第二关断状态泄漏电流和所述第一关断状态泄漏电流之间的差。

10.如权利要求9所述的电子部件，其中，所述第一温度是25℃。

11.如权利要求10所述的电子部件，其中，相对于所述第一源极的所述第一栅极的电压是0V。

12.如权利要求9所述的电子部件，所述电子部件额定操作在第二温度和第三温度之间且包含该第二温度和该第三温度的温度范围，所述第二温度小于所述第一温度并且所述第三温度大于所述第一温度，其中，

在所述温度范围内的全部温度，所述电阻器的电阻小于所述第一击穿电压除以在所述第二关断状态泄漏电流和所述第一关断状态泄漏电流之间的差。

13.如权利要求12所述的电子部件，其中，所述第二温度是-55℃以及所述第三温度是200℃。

14.如权利要求1所述的电子部件，所述增强型晶体管具有第一阈值电压以及所述耗尽型晶体管具有第二阈值电压，其中，

当偏置所述电子部件以使得相对于所述第一源极的所述第一栅极的电压小于所述增强型晶体管的所述阈值电压并且相对于所述第一源极的所述第二漏极的电压大于所述第一击穿电压且小于所述第二击穿电压时，关断状态泄漏电流流过所述耗尽型晶体管的所述第二源极，以及

在第一温度，所述电阻器的电阻足够大到以防止所述关断状态泄漏电流超出临界值。

15.如权利要求14所述的电子部件，其中，所述第一温度是25℃。