[发明专利]通过介稳氢终止的硅的选择性蚀刻

摘要

描述了蚀刻图案化的非均相结构上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前体与含氢前体形成的远端等离子体蚀刻。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区中，等离子体流出物在基板处理区中与硅的暴露区反应。等离子体流出物与图案化的非均相结构反应，以选择性移除硅同时非常缓慢地移除其他暴露材料。硅的选择性部分是因为含氢前体在远端等离子体中的数量优势，此数量优势氢终止图案化的非均相结构上的表面。含氟前体的低很多流动逐渐以氟取代氢终止硅上的氢，藉此自硅的暴露区选择性地移除硅。方法亦可用来在远快于氧化硅、氮化硅与多种含金属材料下选择性地移除硅。

主权项

一种在基板处理腔室的基板处理区中蚀刻图案化的基板的方法，其中所述图案化的基板具有暴露硅，所述方法包括以下步骤：将含氟前体与含氢前体的每一个流入远端等离子体区，同时在所述远端等离子体区中形成远端等离子体以产生等离子体流出物，所述远端等离子体区流体耦接至所述基板处理区，其中这些前体的原子流比例大于或约为25：1的H：F，且在所述远端等离子体区中形成远端等离子体以产生等离子体流出物的步骤包括以下步骤：施加RF等离子体至所述等离子体区，所述RF等离子体具有RF等离子体功率；及通过将这些等离子体流出物通过喷头中的数个通孔流入所述基板处理区来蚀刻所述暴露硅，其中在蚀刻操作过程中的所述图案化的基板的温度大于或约为0℃，且所述基板处理区中的压力高于或约为0.05托且低于或约为10托。