[发明专利]利用多个关键尺寸的侧壁图像转移

摘要

本发明的实施例提供在具有多个关键尺寸的侧壁图像转移过程中形成半导体器件的方法。所述方法包括在多个芯棒上方形成多级介电层，多级介电层具有覆盖多个芯棒的多个区域，多级介电层的多个区域具有不同的厚度；通过应用定向蚀刻过程将多级介电层的多个区域蚀刻成间隔，间隔紧挨着多个芯棒的侧壁形成并且具有与多级介电层的多个区域的不同的厚度对应的不同的宽度；移除在间隔中间的多个芯棒；并且将间隔的底部图像转移到间隔下面的一个或多个层中。

主权项

一种方法，包括：在多个芯棒（106、806）上方形成多级介电层（301、1001、图11（c）、图12（d）），所述多级介电层具有覆盖所述多个芯棒的多个区域（301a、301b），所述多级介电层的所述多个区域具有不同的厚度；通过施加定向蚀刻过程将所述多级介电层的所述多个区域蚀刻成间隔（401a、401b），所述间隔紧挨着所述多个芯棒的侧壁形成并且具有与所述多级介电层的所述多个区域的所述不同的厚度对应的不同的宽度；移除在所述间隔中间的所述多个芯棒；以及将所述间隔的底部图像转移到所述间隔下面的一个或多个层（103‑105）中。