[发明专利]利用多个关键尺寸的侧壁图像转移

权利要求书

1.一种方法，包括：

在多个芯棒（106、806）上方形成多级介电层（301、1001、图11（c）、图12（d）），所述多级介电层具有覆盖所述多个芯棒的多个区域（301a、301b），所述多级介电层的所述多个区域具有不同的厚度；

通过施加定向蚀刻过程将所述多级介电层的所述多个区域蚀刻成间隔（401a、401b），所述间隔紧挨着所述多个芯棒的侧壁形成并且具有与所述多级介电层的所述多个区域的所述不同的厚度对应的不同的宽度；

移除在所述间隔中间的所述多个芯棒；以及

将所述间隔的底部图像转移到所述间隔下面的一个或多个层（103-105）中。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多级介电层包括：

在所述多个芯棒上方形成基本上共形的介电层（201、807、图11（b）、图12（b））；

利用掩模（202、808、1120、1230）覆盖所述基本上共形的介电层的第一部分；

在蚀刻过程中蚀刻所述基本上共形的介电层的其余部分，该其余部分是所述基本上共形的介电层的第二部分并且不被所述掩模覆盖，从而使得所述基本上共形的介电层的所述第二部分的厚度小于所述基本上共形的介电层的所述第一部分的厚度；以及

移除所述掩模。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述基本上共形的介电层包括相继沉积的至少第一（1211）和第二（1221）介电材料层，并且其中蚀刻所述基本上共形的介电层的所述第二部分包括移除未被所述掩模（1230）覆盖的所述第二介电材料层以暴露它下面的所述第一介电材料层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二层的所述介电材料不同于所述第一层的所述介电材料，并且所述移除所述第二介电材料层通过对所述第一介电材料层选择性的蚀刻过程执行。

5.如权利要求2所述的方法，在移除作为第一掩模的所述掩模之后，还包括：

形成覆盖所述基本上共形的介电层的第三部分第二掩模（1002）；

在蚀刻过程中蚀刻所述基本上共形的介电层的其余部分，该其余部分是所述基本上共形的介电层的第四部分并且不被所述第二掩模覆盖；以及

移除所述第二掩模。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述基本上共形的介电层的所述第三部分是先前被所述第一掩模覆盖的所述基本上共形的介电层的所述第一部分的一部分，并且其中所述基本上共形的介电层的所述第四部分的所述蚀刻在所述基本上共形的介电层的三个不同的区域中产生三个不同的厚度。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述基本上共形的介电层的所述第三部分是所述基本上共形的介电层的所述第一部分的区段和所述第二部分的区段的组合，并且其中所述基本上共形的介电层的所述第四部分的所述蚀刻在所述基本上共形的介电层的四个不同的区域中产生四个不同的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，其中在不同厚度的所述多个区域的每一个之内，所述多级介电层是基本上共形的介电层。

9.如权利要求1所述的方法，其中转移所述间隔的底部图像包括施加定向蚀刻过程以蚀刻掉所述一个或多个层的多个部分，由此所述间隔通过将所述间隔作为保护掩膜施加来形成。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模是硬掩模。

11.一种方法，包括：

在多个芯棒上方形成基本上共形的介电层（201、807、图11（b）、图12（b）），所述基本上共形的介电层具有覆盖所述多个芯棒的多个区域；

将所述基本上共形的介电层转换成在所述多个区域中具有不同的厚度的多级介电层（301、1001、图11（c）、图12（d））；

将所述多级介电层的所述多个区域蚀刻成间隔（401a、401b），所述间隔邻近所述多个芯棒的侧壁并且具有与所述多级介电层的所述多个区域的所述不同的厚度对应的不同的宽度；

移除在所述间隔中间的所述多个芯棒；以及

将所述间隔的底部图像转移到所述间隔下面的一个或多个层（103-105）中。