[发明专利]气化器有效
申请号: | 201280047608.9 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN103858212A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;白井泰雪;永濑正明;山下哲;日高敦志;土肥亮介;西野功二;池田信一;平尾圭志 | 申请(专利权)人: | 株式会社富士金;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/448 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;李婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够使气化器内的压力的举动稳定的气化器。本发明的气化器具备:腔,其具备流入口以及流出口;加热装置,其加热该腔内;隔壁构造体(13),其设于该腔内,并将该腔内的液体材料划分到多个区划;以及液体流通部(20),其设于隔壁构造体(13)的下部,以容许利用隔壁构造体(13)划分的各区划之间的液体流通,所述隔壁构造体具有格子状、蜂窝状、网孔状、或管状的隔壁。 | ||
搜索关键词: | 气化 | ||
【主权项】:
一种气化器,其特征在于,具备:腔,其具备流入口以及流出口;加热装置,其加热收容在该腔内的液体材料;隔壁构造体,其将收容在该腔内的液体材料划分到多个区划;以及液体流通部,其容许利用所述隔壁构造体划分的各区划之间的液体流通,所述隔壁构造体具有格子状、蜂窝状、网孔状、或管状的隔壁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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