[发明专利]用于半导体处理的具有二极管平面加热器区域的加热板有效
申请号: | 201280045744.4 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN103946423A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 基思·威廉·加夫;基思·科门丹特 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23F1/00 | 分类号: | C23F1/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的加热板,其包括以可扩展多路复用布局布置的多个独立控制的平面加热器区域,以及电子器件以独立控制平面加热器区域和为所述平面加热器区域供电。每个平面加热器区域使用至少一个二极管作为加热器元件。其中包括有加热板的衬底支撑组件包括静电夹持电极和温度控制基板。用于制造所述加热板的方法包括将具有平面加热器区域、功率供给线、功率返回线和通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 具有 二极管 平面 加热器 区域 加热 | ||
【主权项】:
一种用于衬底支撑组件的加热板,所述衬底支撑组件用于在半导体处理装置中支撑半导体衬底,所述加热板包括:电绝缘层;平面加热器区域,其包括至少第一、第二、第三和第四平面加热器区域,每一个平面加热器区域均包括作为加热器元件的一或多个二极管,所述平面加热器区域在整个所述电绝缘层横向分布且能操作来调谐所述半导体衬底上的空间温度分布;功率供给线,其包括至少第一导电功率供给线和第二导电功率供给线,所述第一导电功率供给线电连接到所述第一和第二平面加热器区域的所述一或多个二极管的阳极,所述第二导电功率供给线电连接到所述第三和第四平面加热器区域的所述一或多个二极管的阳极;功率返回线,其包括至少第一导电功率返回线和第二导电功率返回线,所述第一导电功率返回线电连接到所述第一和第三平面加热器区域的所述一或多个二极管的阴极,所述第二导电功率返回线电连接到所述第二和第四平面加热器区域的所述一或多个二极管的阴极。
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