[发明专利]反射型掩模及其制造方法有效
| 申请号： | 201280041142.1 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103748660B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 福上典仁;坂田阳;松井一晃;渡边原太 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有遮光性能高的遮光框的反射型掩模及其制造方法。在具有对多层反射层进行刻入而成的遮光框的反射型掩模中，通过仅对多层反射层进行侧蚀、或者仅将多层反射层加工成倒锥形形状，能够抑制EUV光（极端紫外线光）在遮光框边缘附近的反射，能够提供具有高遮光性的反射型掩模，能够形成高精度的转印图案。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型掩模 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种反射型掩模，具有：基板；在所述基板的一面的表面形成的多层反射层；在所述多层反射层之上形成的保护层；以及在所述保护层之上形成的吸收层，在形成于所述吸收层的电路图案区域的外侧的至少一部分，具有遮光框，所述遮光框如下地构成：除去所述吸收层、所述保护层及所述多层反射层，且使所述多层反射层的遮光框内的开口宽度，比位于其上层的所述吸收层的开口宽度宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
