[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201280036061.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103703565A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 川上刚史;中木义幸;藤井善夫;渡边宽;中田修平;海老原洪平;古川彰彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第2导电类型的活性区域（2），形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；第2导电类型的多个第1杂质区域（11～16），在所述半导体层表层，以俯视时分别包围所述活性区域（2）的方式，相互离开地形成；以及第2导电类型的第2杂质区域（18），被埋入到所述半导体层表层，连接多个所述第1杂质区域（11～16）的底部中的至少两个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280036061.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型针织机械的多工位提花针控制装置
- 下一篇：自动上袋机的吸臂机构
- 同类专利
- 专利分类
