[发明专利]等离子体处理系统中温度依赖型晶片间隙变化的被动补偿

摘要

提供了依赖于热膨胀部件的温度驱动的尺度变化来基本上或部分地抵消由于腔室部件的温度变化而产生的晶片间隙变化的被动式晶片间隙补偿装置和方法。本被动装置和技术涉及被动地升高或降低朝向衬底的部件或衬底支撑件来基本上或部分地抵消升温的间隙变窄的效应或间隙扩大的效应，从而减少或消除由于腔室部件温度变化而造成的晶片间隙变化。可选地提供冷却装置和热断路器以改善性能。

主权项

一种用于处理衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统具有至少一个腔室，所述腔室具有至少一个衬底支撑件和在所述衬底之上朝向所述衬底的上表面的朝向衬底的部件，所述衬底支撑件和所述朝向衬底的部件有空间隔开关系，在所述处理期间，所述衬底被设置在所述衬底支撑件的顶端，并在所述衬底支撑件和所述朝向衬底的部件之间，所述等离子体处理系统包括：朝向衬底的部件支撑结构，其联接在所述朝向衬底的部件和所述等离子体处理腔室的上部腔室部件之间，以便在所述处理过程中将所述朝向衬底的部件定位在所述衬底上面，使得在所述朝向衬底的部件的下表面和所述衬底的上表面之间存在所希望的间隙；和用于响应于所述等离子处理腔室的至少一个部件所经历的温度变化被动地移动所述朝向衬底的部件的装置，如果所述朝向衬底的部件没有被动地移动，则所述至少一个部件所经历的所述温度变化导致所述所希望的间隙改变，用于被动地移动所述朝向衬底的部件的所述装置依赖于所述装置的热驱动的尺寸变化来完成所述移动。