[发明专利]等离子体处理系统中温度依赖型晶片间隙变化的被动补偿

权利要求书

1.一种用于处理衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统具有至少一个腔室，所述腔室具有至少一个衬底支撑件和在所述衬底之上朝向所述衬底的上表面的朝向衬底的部件，所述衬底支撑件和所述朝向衬底的部件有空间隔开关系，在所述处理期间，所述衬底被设置在所述衬底支撑件的顶端，并在所述衬底支撑件和所述朝向衬底的部件之间，所述等离子体处理系统包括：

朝向衬底的部件支撑结构，其联接在所述朝向衬底的部件和所述等离子体处理腔室的上部腔室部件之间，以便在所述处理过程中将所述朝向衬底的部件定位在所述衬底上面，使得在所述朝向衬底的部件的下表面和所述衬底的上表面之间存在所希望的间隙；和

用于响应于所述等离子处理腔室的至少一个部件所经历的温度变化被动地移动所述朝向衬底的部件的装置，如果所述朝向衬底的部件没有被动地移动，则所述至少一个部件所经历的所述温度变化导致所述所希望的间隙改变，用于被动地移动所述朝向衬底的部件的所述装置依赖于所述装置的热驱动的尺寸变化来完成所述移动。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述朝向衬底的部件是上部绝缘器板，并且其中所述腔室为倒角蚀刻腔室。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述朝向衬底的部件是上部电极。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述衬底支撑件是下部电极。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述变化表示所述所希望的间隙在所述至少一个部件经历升温时的变窄，用于被动地移动的所述装置被配置为响应于所述变窄来升高所述朝向衬底的部件。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述变化表示所述所希望的间隙在所述至少一个部件经历升温时的扩张，用于被动地移动的所述装置被配置为响应于所述扩张来降低所述朝向衬底的部件。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述被动地移动包括被动地移动所述上部腔室部件。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述上部腔室部件包括用于附着所述朝向衬底的部件支撑结构的附着点。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，用于被动地移动的所述装置包括至少一个热断路器。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，用于被动地移动的所述装置包括至少一个热膨胀部件。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，用于被动地移动的所述装置包括被配置为响应于温度变化而对称地移动所述朝向衬底的部件的多个热膨胀部件。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，用于被动地移动的所述装置被配置为基本上抵消在所述至少一个部件的温度升高的情况下没有用于被动地移动的所述装置时所述期望的间隙将会变化的量。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，用于被动地移动的所述装置包括冷却子系统。

14.一种用于处理衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统具有至少一个腔室，所述腔室具有至少一个衬底支撑件和在所述衬底之上朝向所述衬底的上表面的朝向衬底的部件，所述衬底支撑件和所述朝向衬底的部件有空间隔开关系，在所述处理期间，所述衬底被设置在所述衬底支撑件的顶端，并且在所述衬底支撑件和所述朝向衬底的部件之间，所述等离子体处理系统包括：

朝向衬底的部件支撑结构，其联接在所述朝向衬底的部件和所述等离子体处理腔室的上部腔室部件之间，以便在所述处理过程中将所述朝向衬底的部件定位在所述衬底上面，使得在所述朝向衬底的部件的下表面和所述衬底的上表面之间存在所希望的间隙；和

用于响应于所述等离子处理腔室的至少一个部件所经历的温度变化被动地移动所述衬底支撑件的装置，如果所述衬底支撑件没有被动地移动，则所述至少一个部件所经历的所述温度变化导致所述所希望的间隙改变，用于被动地移动所述衬底支撑件的所述装置依赖于所述装置的热驱动的尺寸变化来完成所述移动。

15.根据权利要求14所述的等离子体处理系统，其中，所述朝向衬底的部件是上部绝缘器板，且其中所述腔室是倒角蚀刻腔室。