[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280021568.0 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103548143A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 穗永美纱子;增田健良;和田圭司;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
漂移层（3）具有电流流动所贯穿的厚度方向且具有第一导电类型的杂质浓度（N1d）。体区（4）被提供在漂移层（3）的一部分上，具有借助栅电极（93）开关的沟道（41），具有第一导电类型杂质的浓度（N1b）以及第二导电类型杂质的浓度（N2b），所述浓度（N2b）高于浓度（N1b）。JFET区（7）相邻体区（4），所述JFET区（7）在漂移层（3）上，具有第一导电类型杂质的浓度N1j以及第二导电类型杂质的浓度N2j，所述浓度（N2j）高于浓度（N1j）。满足不等式N1j-N2j>N1d且N2j | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有用于开关电流的栅电极（93）的碳化硅半导体器件（101），包括：漂移层（3），所述漂移层（3）具有所述电流流动所贯穿的厚度方向且具有第一导电类型的杂质浓度N1d；体区（4），所述体区（4）被设置在所述漂移层的一部分上，具有通过所述栅电极开关的沟道（41），具有所述第一导电类型的杂质浓度N1b，并且具有大于所述杂质浓度N1b的第二导电类型的杂质浓度N2b；以及JFET区（7），所述JFET区（7）与所述体区相邻地设置在所述漂移层上，具有所述第一导电类型的杂质浓度N1j，并且具有小于所述杂质浓度N1j的所述第二导电类型的杂质浓度N2j，满足N1j‑N2j>N1d且N2j
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