[发明专利]发光纳米线的串联电连接

摘要

一种光电装置，至少包括：形成在支撑体（58）上的第一和第二发光纳米线(60,62)，均包括空穴注入区(68,70)和电子注入区(72,74)；串联电连接包括：形成在支撑体（58）上的连接纳米线(82)，包括：与第一纳米线（60）的空穴注入区（68）一起形成电路径的第一域（84）；与第二纳米线（62）的电子注入区（74）一起形成电路径的第二域（90）；与第一和第二域（84，90）接触且能够使电流在第一和第二域之间流过的第三域（92）；连接第一纳米线（60）的空穴注入区（68）和连接纳米线(82)的第一域（84）的第一导电区（86），其与第二纳米线(62)电绝缘；连接连接纳米线(82)的第二域（90）和第二纳米线（62）的电子注入区（74）的第二导电区（88），其与第一纳米线(60)电绝缘。

主权项

一种光电装置，至少包括：形成在支撑体(58)上的第一和第二发光纳米线(60,62)，所述第一和第二发光纳米线(60,62)中的每个均包括用于空穴注入的第一型半导体区(68,70)和用于电子注入的第二型半导体区(72,74)；所述第一和第二发光纳米线(60,62)的串联电连接包括：形成在支撑体(58)上的连接纳米线(82)，所述连接纳米线(82)包括：(a)第一域(84)，所述第一域(84)能够与所述第一发光纳米线(60)的空穴注入区(68)一起形成电路径，所述电路径能够使电流流过；(b)第二域(90)，所述第二域(90)能够与所述第二发光纳米线(62)的电子注入区(74)一起形成电路径，所述电路径能够使电流流过；以及(c)与所述第一域(84)和第二域(90)接触的第三域(92)，第三域(92)能够使电流从所述第一域和所述第二域中间流过；连接所述第一发光纳米线(60)的空穴注入区(68)和所述连接纳米线(82)的第一域(84)的第一导电区(86)，所述第一导电区(86)与所述第二发光纳米线(62)电绝缘；以及连接所述连接纳米线(82)的第二域(90)和所述第二发光纳米线(62)的电子注入区(74)的第二导电区(88)，所述第二导电区(88)与所述第一发光纳米线(60)电绝缘。