[发明专利]发光纳米线的串联电连接

权利要求书

1.一种光电装置，至少包括：

形成在支撑体（58）上的第一和第二发光纳米线(60,62)，所述第一和第二发光纳米线(60,62)中的每个均包括用于空穴注入的第一型半导体区（68,70)和用于电子注入的第二型半导体区(72,74)；

所述第一和第二发光纳米线(60,62)的串联电连接包括：

形成在支撑体（58）上的连接纳米线(82)，所述连接纳米线(82)包括：

（a）第一域（84），所述第一域（84）能够与所述第一纳米线（60）的空穴注入区（68）一起形成电路径，所述电路径能够使电流流过；

（b）第二域（90），所述第二域（90）能够与所述第二纳米线（62）的电子注入区（74）一起形成电路径，所述电路径能够使电流流过；以及

（c）与所述第一域（84）和第二域（90）接触的第三域（92），第三域（92）能够使电流从所述第一域和所述第二域中间流过；

连接所述第一纳米线（60）的空穴注入区（68）和所述连接纳米线(82)的第一域（84）的第一导电区（86），所述第一导电区（86）与所述第二纳米线(62)电绝缘；以及

连接所述连接纳米线(82)的第二域（90）和所述第二纳米线（62）的电子注入区（74）的第二导电区（88），所述第二导电区（88）与所述第一纳米线(60)电绝缘。

2.如权利要求1所述的光电装置，其中，所述第一和第二发光纳米线(60,62)均包括半导体芯层(64,66)，所述半导体芯层(64,66)的末端(72,74)形成在支撑体（58）上，形成空穴注入区或电子注入区；所述第一和第二发光纳米线(60,62)还包括半导体包层(68,70)，所述半导体包层(68,70)至少包围住所述半导体芯层(64,66)的上端部分，且所述半导体包层(68,70)形成空穴注入区和电子注入区中间的另一区。

3.如权利要求2所述的光电装置，其中：

所述第一和第二发光纳米线(60,62)的芯层(116)是由第一导电型半导体材料制备的；

所述第一和第二发光纳米线(60,62)的包层(118)由与第一导电型相反的第二导电型半导体材料制备的；以及

所述连接纳米线(82)包括由第一导电型材料制备的至少一个芯层。

4.如权利要求2或3任一所述的光电装置，其中，所述连接纳米线(82)包括第一型半导体芯层，所述第一型半导体芯层至少在第一部分和第二部分上没有包层，所述第一部分和第二部分分别形成所述连接纳米线的第一域和第二域。

5.如权利要求4所述的光电装置，其中所述的没有包层的连接纳米线的芯层的第一部分包括与支撑体相反的纳米线末端。

6.如权利要求1～3任一所述的光电装置，其中，所述连接纳米线是导电材料制备的。

7.如上述任一权利要求所述的光电装置，其中所述支撑体（58）包括平面化电绝缘层（102），所述电绝缘层（102）具有形成所述第二导电区的平面导电接触体（88），所述导电接触体（88）形成在所述电绝缘层（102）上，所述接触体具有形成在所述接触体上面的所述连接纳米线(82)和所述第二发光纳米线（60）。

8.如上述任一权利要求所述的光电装置，其中所述纳米线(60,62,82)被嵌入到电绝缘平面化层(76)，与所述支撑体（58）相反的所述纳米线的末端(78,80,84)从所述层（76）稍微突出，所述层（76）具有形成所述第一导电区的导电接触体(86)，且所述导电接触体(86)包围住形成在所述支撑体上面的第一纳米线(60)和连接纳米线(82)的突出末端(78,84)。

9.如上述任一权利要求所述的光电装置，包括通过串联电连接的串联连接的发光纳米线网络。

10.如上述任一权利要求所述的光电装置，包括由至少两组(140,142)并联电连接的发光纳米线组成的发光纳米线网络，至少一组纳米线与另一组的纳米线通过串联电连接串联。

11.一种制备光电装置的方法，所述光电装置至少包括形成在支撑体上的第一和第二发光纳米线；所述光电装置还包括半导体芯层，所述半导体芯层的末端形成在支撑体上，形成空穴注入区或电子注入区；所述光电装置还包括半导体包层，所述半导体包层至少包围住所述半导体芯层的上端部分，且所述半导体包层形成空穴注入区和电子注入区中间的另一区，所述方法包括：

形成包括电绝缘层的支撑体，所述电绝缘层具有形成在所述支撑体上面的下端导电层；

在所述支撑体上形成3个相同的发光纳米线，所述的发光纳米线均包括第一型半导体芯层和第二型半导体包层，所述包层至少包围住所述芯层的上端部分，所述纳米线中的两个形成在所述电接触体上；

在所述支撑体上设置平面化电绝缘层，以覆盖住所述纳米线，同时让所述纳米线的自由末端从所述层中稍微突出；

去掉形成在所述下端导电层上面的所述两个纳米线中的一个的所述自由末端的一部分包层，以露出其芯层；以及

在所述平面化电绝缘层上设置上端电接触体，以覆盖住不是形成在所述下端导电层上面的所述纳米线的自由末端，且所述纳米线自由末端已经被去掉了一部分包层。