[发明专利]固体摄像装置以及使用了该固体摄像装置的摄像机系统有效

专利信息
申请号: 201280020144.2 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN103493475B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 春日繁孝;石井基范 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H01L27/146;H04N5/361
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 王成坤,胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的固体摄像装置具备半导体衬底(31)、多个像素(11)以及列信号线(141),像素(11)具备放大晶体管(113)、选择晶体管(115)、复位晶体管(117)以及光电转换部(111),光电转换部(111)具备光电转换膜(45)、透明电极(47)、像素电极(46)以及存储二极管,像素电极(46)以及存储二极管连接于放大晶体管(113)的栅极,在放大晶体管(113)中,源极连接于列信号线(141),漏极与电源线连接,在复位晶体管(117)中,源极连接于像素电极(46),选择晶体管(115)被插入在放大晶体管(113)的源极与列信号线(141)之间,放大晶体管(113)的阈值电压比存储二极管的电压低。
搜索关键词: 固体 摄像 装置 以及 使用 摄像机 系统
【主权项】:
一种固体摄像装置,具备:半导体衬底;以矩阵状被配置在所述半导体衬底的多个像素;以及被形成在所述像素的每个列的垂直信号线;所述像素具有:放大晶体管、选择晶体管、复位晶体管、以及光电转换部,所述光电转换部具有:被形成在所述半导体衬底上方的光电转换膜、被形成在所述光电转换膜的上方的透明电极、被形成在所述光电转换膜的下方的像素电极、以及与所述像素电极连接的存储二极管,所述光电转换膜将入射光转换为电子空穴对,所述存储二极管蓄积所述电子空穴对中的空穴,所述像素电极以及所述存储二极管被连接在所述放大晶体管的栅极,在所述放大晶体管,源极与所述垂直信号线连接,漏极与电源线连接,在所述复位晶体管,源极与所述像素电极连接,所述选择晶体管被插入在,所述放大晶体管的源极与所述垂直信号线之间,或者被插入在所述放大晶体管的漏极与所述电源线之间,所述放大晶体管的阈值电压比所述存储二极管的初始化电位低。
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