[发明专利]高纯度Ni溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280017566.4 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103459657A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 中岛信昭;小松透;佐野孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/03;C22F1/02;C22F1/10;H01L21/28;H01L21/285;C22F1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度Ni溅射靶，其特征在于，其是平均晶体粒径为1000μm以下的高纯度Ni溅射靶，其溅射面处的晶体取向为无规取向，并且溅射靶的厚度方向的中心面处的晶体取向也为无规取向。优选即使制成粉末进行X射线衍射也不改变峰的顺序。根据上述构成，能够得到稳定的溅射速率，可得到能够长期使用的高纯度Ni溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 ni 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度Ni溅射靶，其特征在于，其是平均晶体粒径为1000μm以下的高纯度Ni溅射靶，其溅射面处的晶体取向为无规取向，并且溅射靶的厚度方向的中心面处的晶体取向也为无规取向。
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