[发明专利]具有对电流值的较少依赖性的增益的半导体器件有效
| 申请号: | 201280016617.1 | 申请日: | 2012-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN103460355A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | 林丰;永宗靖;太田敏隆 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号: | H01L21/331 | 分类号: | H01L21/331;H01L29/732 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 刘宗杰;吕琳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的目的是在不使用复杂电路的情况下放大在恒定增益下以若干量级的因子变化的电流。为了解决该问题,利用了一种半导体器件,其包括:具有第一导电类型的第一半导体区;第二半导体区,具有相反导电类型并与所述第一半导体区相接触;以及第三半导体区,具有所述第一导电类型并在所述第二表面处与所述第二半导体区相接触,与所述第二半导体区相接触的第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区,并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 电流 较少 依赖性 增益 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,至少包括:第一半导体区,具有第一表面、第一厚度和第一导电类型;第二半导体区,具有第二表面、第二厚度和相反导电类型,并在所述第一表面的部分处与所述第一半导体区相接触;第三半导体区,具有第三表面、第三厚度和所述第一导电类型,并在所述第二表面的部分处与所述第二半导体区相接触;以及第四半导体区,具有第四表面、第四厚度,并在所述第二表面的部分处与所述第二半导体区相接触;所述第三半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的与所述第三半导体区相接触的部分的杂质浓度,并且所述第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区,并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





