[发明专利]具有对电流值的较少依赖性的增益的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201280016617.1 申请日: 2012-02-01
公开(公告)号: CN103460355A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 林丰;永宗靖;太田敏隆 申请(专利权)人: 独立行政法人产业技术综合研究所
主分类号: H01L21/331 分类号: H01L21/331;H01L29/732
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 刘宗杰;吕琳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是在不使用复杂电路的情况下放大在恒定增益下以若干量级的因子变化的电流。为了解决该问题,利用了一种半导体器件,其包括:具有第一导电类型的第一半导体区;第二半导体区,具有相反导电类型并与所述第一半导体区相接触;以及第三半导体区,具有所述第一导电类型并在所述第二表面处与所述第二半导体区相接触,与所述第二半导体区相接触的第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区,并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。
搜索关键词: 具有 电流 较少 依赖性 增益 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,至少包括:第一半导体区,具有第一表面、第一厚度和第一导电类型;第二半导体区,具有第二表面、第二厚度和相反导电类型,并在所述第一表面的部分处与所述第一半导体区相接触;第三半导体区,具有第三表面、第三厚度和所述第一导电类型,并在所述第二表面的部分处与所述第二半导体区相接触;以及第四半导体区,具有第四表面、第四厚度,并在所述第二表面的部分处与所述第二半导体区相接触;所述第三半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的与所述第三半导体区相接触的部分的杂质浓度,并且所述第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区,并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。
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