[发明专利]具有对电流值的较少依赖性的增益的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，至少包括：

第一半导体区，具有第一表面、第一厚度和第一导电类型；

第二半导体区，具有第二表面、第二厚度和相反导电类型，并在所述第一表面的部分处与所述第一半导体区相接触；

第三半导体区，具有第三表面、第三厚度和所述第一导电类型，并在所述第二表面的部分处与所述第二半导体区相接触；以及

第四半导体区，具有第四表面、第四厚度，并在所述第二表面的部分处与所述第二半导体区相接触；

所述第三半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的与所述第三半导体区相接触的部分的杂质浓度，并且所述第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区，并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体区包括包围所述第三半导体区的平面形状中的开口，并且所述开口的最小距离的尺寸小于或等于包围所述第三半导体区的平面形状的内周的长度的十分之一。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第四半导体区的表面杂质浓度大于或等于所述第二半导体区的表面杂质浓度的十倍。