[发明专利]用于原子层沉积的设备与工艺无效
| 申请号： | 201280012307.2 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103415912A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | J·约德伏斯基;G·K·翁;M·常;A·N·恩古耶;D·汤普森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法，所述气体分配板包含至少一个气体喷射器单元。每一气体喷射器单元包含多个狭长气体喷射器，所述多个狭长气体喷射器包括至少两个第一反应气体喷射器及至少一个第二反应气体喷射器，所述至少两个第一反应气体喷射器围绕所述至少一个第二反应气体喷射器。本发明也提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法，所述气体分配板具有多个气体喷射器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 原子 沉积 设备 工艺 | ||
【主权项】：
一种原子层沉积系统，所述系统包含：处理腔室；气体分配板，所述气体分配板位于所述处理腔室内，所述气体分配板包含至少一个气体喷射器单元，每一气体喷射器单元包含多个狭长气体喷射器，所述多个狭长气体喷射器包括与第一反应气体流体连通的至少两个第一反应气体喷射器及与第二反应气体流体连通的至少一个第二反应气体喷射器，所述第二反应气体不同于所述第一反应气体，所述至少两个第一反应气体喷射器围绕所述至少一个第二反应气体喷射器；以及基板载体，所述基板载体相对于所述气体喷射器单元在垂直于所述狭长气体喷射器的轴的往复运动中往复移动基板。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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