[发明专利]用于原子层沉积的设备与工艺

权利要求书

1.一种原子层沉积系统，所述系统包含：

处理腔室；

气体分配板，所述气体分配板位于所述处理腔室内，所述气体分配板包含至少一个气体喷射器单元，每一气体喷射器单元包含多个狭长气体喷射器，所述多个狭长气体喷射器包括与第一反应气体流体连通的至少两个第一反应气体喷射器及与第二反应气体流体连通的至少一个第二反应气体喷射器，所述第二反应气体不同于所述第一反应气体，所述至少两个第一反应气体喷射器围绕所述至少一个第二反应气体喷射器；以及

基板载体，所述基板载体相对于所述气体喷射器单元在垂直于所述狭长气体喷射器的轴的往复运动中往复移动基板。

2.如权利要求1所述的原子层沉积系统，其中所述气体分配板具有一个气体喷射器单元，所述气体喷射器单元实质上依序由引导第一反应气体喷射器、第二反应气体喷射器及尾接第一反应气体喷射器组成。

3.如权利要求1所述的原子层沉积系统，其中存在范围为2至24个气体喷射器单元。

4.如前述权利要求中任一项所述的原子层沉积系统，其中所述气体喷射器中的每一个实质上依序由引导第一反应气体喷射器、第二反应气体喷射器及尾接第一反应气体喷射器组成。

5.如前述权利要求中任一项所述的原子层沉积系统，所述原子层沉积系统进一步包含基板载体，所述基板载体在处理期间以直线往复路径介于第一范围与第二范围之间传送基板并移动，其中介于所述第一范围与所述第二范围之间的距离约等于所述基板的长度除以气体喷射器单元的数目。

6.如前述权利要求中任一项所述的原子层沉积系统，其中所述基板载体旋转所述基板。

7.一种处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：

将基板的部分以第一方向传送越过气体喷射器单元，使得所述基板的所述部分依序暴露于引导第一反应气流、不同于所述第一反应气流的第二反应气流及尾接第一反应气流，以沉积第一层；以及

将所述基板的所述部分以与所述第一方向相反的第二气体方向传送越过所述气体喷射器单元，使得所述基板的所述部分依序暴露于所述尾接第一反应气流、所述第二反应气流及所述引导第一反应气流，以产生第二层。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述基板被划分为多个部分，所述多个部分的范围为约2至约24个，且每一单独部分大体同时暴露于所述气流。

9.一种用于处理基板的原子层沉积系统，所述系统包含：

处理腔室；

往复运动的基板载体，所述往复运动的基板载体位于所述处理腔室内；以及

一组气体喷射器，所述一组气体喷射器位于所述处理腔室内且邻近所述往复运动的基板载体，所述一组气体喷射器包括第一反应气体喷射器、第二反应气体喷射器及第三反应气体喷射器，所述第一反应气体喷射器及所述第二反应气体喷射器与第一反应气体A流体连通以将气体A喷射至所述处理腔室内，且所述第三反应气体喷射器与第二反应气体B流体连通以喷射气体B至所述处理腔室内；

其中所述往复运动的基板载体以第一方向在所述反应气体喷射器中的每一个的下方运送所述基板，以ABA的顺序将所述基板暴露于气体，且其中所述往复运动的基板载体以第二方向在所述反应气体喷射器中的每一个的下方运送所述基板，以所述ABA的顺序将所述基板暴露于气体。

10.如权利要求9所述的原子层沉积系统，所述一组气体喷射器进一步包括第四及第五反应气体喷射器，所述第四反应气体喷射器与所述第一反应气体A流体连通以喷射气体A至所述处理腔室内，且所述第五反应气体喷射器与所述第二反应气体B流体连通以喷射气体B至所述处理腔室内；

其中所述往复运动的基板载体以第一方向在所述反应气体喷射器中的每一个的下方运送所述基板，以ABABA的顺序将所述基板暴露于气体，且其中所述往复运动的基板载体以第二方向在所述反应气体喷射器中的每一个的下方运送所述基板，以所述ABABA的顺序将所述基板暴露于气体。