[发明专利]具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件有效
| 申请号: | 201280012185.7 | 申请日: | 2012-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN103563052A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 真岛丰;寺西利治;村木太郎;田中大介 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;B82B1/00;B82B3/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 梁海莲;余明伟 |
| 地址: | 日本琦玉*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 将使金属层(2A、2B)具有间隙且成对地配置的基板(1)浸渍于无电解镀液中,所述无电解镀液是在含有金属离子的电解液中混合还原剂和界面活性剂而制成。利用还原剂将金属离子还原,金属析出于金属层(2A、2B)且界面活性剂附着在金属的表面,形成将间隙的长度控制为纳米尺寸的电极(4A、4B)的对。由此,提供一种使用能够控制间隙长度的偏差且具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法,并且利用该制作方法提供一种抑制间隙长度偏差的具有纳米间隙长度的电极结构和具备该电极结构的纳米器件。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 纳米 间隙 长度 电极 结构 制作方法 通过 方法 得到 器件 | ||
【主权项】:
一种具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法,其特征在于:将有间隙地且成对地配置有金属层的基板浸渍于通过在含有金属离子的电解液中混入还原剂和界面活性剂而制成的无电解镀液中,由此利用所述还原剂使所述金属离子还原,金属析出于所述金属层且所述界面活性剂附着在该金属的表面,形成将间隙的长度控制为纳米尺寸的电极对。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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