[发明专利]具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件有效
| 申请号： | 201280012185.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103563052A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 真岛丰;寺西利治;村木太郎;田中大介 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;B82B1/00;B82B3/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 梁海莲;余明伟 |
| 地址： | 日本琦玉*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 间隙 长度 电极 结构 制作方法 通过 方法 得到 器件 | ||
1.一种具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于：
将有间隙地且成对地配置有金属层的基板浸渍于通过在含有金属离子的电解液中混入还原剂和界面活性剂而制成的无电解镀液中，由此利用所述还原剂使所述金属离子还原，金属析出于所述金属层且所述界面活性剂附着在该金属的表面，形成将间隙的长度控制为纳米尺寸的电极对。
2.根据权利要求1所述的具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于，包括：
将金属层以具有间隙的方式成对地配置在基板的第一工序；以及
将以具有间隙的方式成对地配置有所述金属层的基板浸渍于通过在含有金属离子的电解液中混入还原剂和界面活性剂而制成的无电解镀液中，由此利用所述还原剂使金属离子还原，金属析出于所述金属层且所述界面活性剂附着在该金属的表面，形成将间隙的长度控制为纳米尺寸的电极对的第二工序。
3.根据权利要求1或2所述的具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于：所述界面活性剂包括具有与所述纳米间隙对应的烷基链长度的分子。
4.根据权利要求1或2所述的具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于：通过所述界面活性剂来控制所述间隙长度。
5.根据权利要求1或2所述的具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于：在所述无电解镀液中还包含盐酸、硫酸、乙酸等酸。
6.根据权利要求2所述的具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于：在所述第一工序中，通过电子束曝光法或光刻法形成所述金属层的对。
7.根据权利要求2所述的具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法，其特征在于：在所述第一工序中，通过电子束曝光法和光刻法中的任一方法、以及碘无电解镀法形成所述金属层的对。
8.一种电极结构，其特征在于：
排列配置有多个设置以具有纳米间隙地被配置的电极对，
多个电极对的各间隙长度的标准偏差是0.5nm至0.6nm。
9.一种纳米器件，其特征在于：所述纳米器件具有权利要求8所述的具有纳米间隙长度的电极结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构，未经独立行政法人科学技术振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280012185.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
