[发明专利]多层配线基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201280009025.7 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103404239A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 千阪俊介;杣田博史;中野公介;加藤登 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H05K1/11 | 分类号： | H05K1/11;H05K3/40;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种多层配线基板，其是通过层叠多张树脂层而成，且内部具有导体配线层和通孔导体的多层配线基板，所述树脂层具有含有树脂的树脂片和形成于该树脂片的至少一个表面的导体配线层，上述通孔导体含有具有300℃以上的熔点的金属间化合物，该金属间化合物通过由Sn或含有70重量%以上的Sn的合金构成的第1金属与由熔点比上述第1金属高的Cu-Ni合金或Cu-Mn合金构成的第2金属反应而生成。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 配线基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层配线基板，其通过层叠多张树脂层而成，并且内部具有导体配线层和通孔导体，所述树脂层具有含有树脂的树脂片和形成于该树脂片的至少一个表面的导体配线层，所述通孔导体含有具有300℃以上的熔点的金属间化合物，所述金属间化合物通过由Sn或含有70%以上的Sn的合金构成的第1金属与由熔点比所述第1金属高的Cu‑Ni合金或Cu‑Mn合金构成的第2金属反应而生成。
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