[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201280007853.7 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103348479A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 内海诚;加藤祯宏;岩见正之;古川拓也 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/06;H01L29/15;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在基板上，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在通道层上；第1电极，其设置在阻挡层上；以及第2电极，其设置在通道层的上方，阻挡层具有：势垒层，其设置在通道层上、由比第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成；和量子能级层，其由比第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在所述基板的上方，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在所述通道层上；第1电极，其设置在所述阻挡层上；以及第2电极，其设置在所述通道层的上方，所述阻挡层是重复层积势垒层和量子能级层而形成的，所述势垒层设置在所述通道层上、由比所述第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成，所述量子能级层设置在所述势垒层上、由比所述第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。
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