[发明专利]具有拥有低于主体区域的带隙的带隙的连接区域的存储器装置

摘要

本发明涉及存储器装置，其展示为包含主体区域及连接区域，所述连接区域由具有低于所述主体区域的带隙的半导体形成。连接区域配置可在擦除操作期间提供增加的栅极诱发的漏极泄漏。所展示的配置可将可靠偏压提供到主体区域以用于例如擦除的存储器操作，且在升压操作期间使电荷容纳在所述主体区域中。

主权项

一种存储器装置，其包括：主体区域，其包括具有第一带隙的半导体；耦合到所述主体区域的第一端源极区域，及耦合到所述主体区域的第二端的漏极区域；多个栅极，其沿所述主体区域的长度，所述多个栅极中的每一者通过至少相应电荷存储结构而与所述主体区域分离；连接区域，其包括具有第二带隙的半导体，所述第二带隙低于所述第一带隙，所述连接区域将所述源极区域耦合到所述主体区域；及源极选择栅极，其邻近于所述主体区域及所述连接区域。