[实用新型]IGBT半导体器件有效
| 申请号： | 201220700511.0 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN203103307U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王锐 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区金田路*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT半导体器件，所述IGBT半导体器件的内部结构层包括：依次连接的P+注入区、N+缓冲区、N-漂移区，在所述N-漂移区上成型有P-body区，在所述P-body区上部的两端均间隔形成有N+深阱。本实用新型是一种低正向压降、较大的正向或反向安全工作区的IGBT半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种IGBT半导体器件，其特征在于：所述IGBT半导体器件的内部结构层包括：依次连接的P+注入区、N+缓冲区、N‑漂移区，在所述N‑漂移区上成型有P‑body区，在所述P‑body区上部的两端均间隔形成有N+深阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市可易亚半导体科技有限公司，未经深圳市可易亚半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220700511.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单相串励电动机电刷
- 下一篇：多功能组合电缆
- 同类专利
- 专利分类
