[实用新型]IGBT半导体器件

说明书

本实用新型涉及一种IGBT半导体领域，具体的涉及一种IGBT半导体器件。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

因此亟需一种低正向压降、较大的正向或反向安全工作区的IGBT半导体器件。

本实用新型的目的是提供一种低正向压降、较大的正向或反向安全工作区的IGBT半导体器件。

为了实现上述目的，本实用新型提供的技术方案为：提供一种IGBT半导体器件，所述IGBT半导体器件的内部结构层包括：依次连接的P+注入区、N+缓冲区、N‑漂移区，在所述N‑漂移区上成型有P‑body区，在所述P‑body区上部的两端均间隔形成有N+深阱。

所述P‑body区位于所述N‑漂移区上部的中央处。

所述内部结构层的顶部中央处连接有金属层形成源极。

所述内部结构层的顶部两侧连接有二氧化硅层形成栅极。

所述内部结构层的底部连接有所述金属层形成漏极。

所述金属层的厚度为2～3微米之间。

所述N+深阱的深度为4～6微米之间。

所述N+深阱的深度为4～6微米之间。

与现有技术相比，本实用新型IGBT半导体器件中，由于依次连接的P+注入区、N+缓冲区、N‑漂移区，在所述N‑漂移区上成型有P‑body区，在所述P‑body区的上部两端均间隔形成有N+深阱，因此，能够有效的提高开启速度和降低关断速度，是一种低正向压降、较大的正向或反向安全工作区的IGBT半导体器件。

通过以下的描述并结合附图，本实用新型将变得更加清晰，这些附图用于解释本实用新型的实施例。

图1为本实用新型IGBT半导体器件的一个实施例的结构示意图。

现在参考附图描述本实用新型的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，如图1所示的实施例中，提供的技术方案是：提供一种IGBT半导体器件100，所述IGBT半导体器件100的内部结构层包括：依次连接的P+注入区10、N+缓冲区20、N‑漂移区30，在所述N‑漂移区30上成型有P‑body区40，在所述P‑body区40上部的两端均间隔形成有N+深阱50。

所述P‑body区40位于所述N‑漂移区30上部的中央处。

所述内部结构层的顶部中央处连接有金属层60形成源极。

所述内部结构层的顶部两侧连接有二氧化硅层70形成栅极。

所述内部结构层的底部连接有所述金属层60形成漏极。

所述金属层60的厚度为2～3微米之间。

所述N+深阱50的深度为4～6微米之间。

结合图1，本实用新型IGBT半导体器件100，由于依次连接的P+注入区10、N+缓冲区20、N‑漂移区30，在所述N‑漂移区30上成型有P‑body区40，在所述P‑body区40上部的两端均间隔形成有N+深阱50。因此，能够有效的提高开启速度和降低关断速度，是一种低正向压降、较大的正向或反向安全工作区的IGBT半导体器件。

以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。