[实用新型]IGBT半导体器件有效
| 申请号： | 201220700511.0 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN203103307U | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王锐 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区金田路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
一种IGBT半导体器件，其特征在于：所述IGBT半导体器件的内部结构层包括：依次连接的P+注入区、N+缓冲区、N‑漂移区，在所述N‑漂移区上成型有P‑body区，在所述P‑body区上部的两端均间隔形成有N+深阱。
如权利要求1所述的IGBT半导体器件，其特征在于：所述P‑body区位于所述N‑漂移区上部的中央处。
如权利要求1所述的IGBT半导体器件，其特征在于：所述内部结构层的顶部中央处连接有金属层形成源极。
如权利要求1所述的IGBT半导体器件，其特征在于：所述内部结构层的顶部两侧连接有二氧化硅层形成栅极。
如权利要求3所述的IGBT半导体器件，其特征在于：所述内部结构层的底部连接有所述金属层形成漏极。
如权利要求3或5所述的IGBT半导体器件，其特征在于：所述金属层的厚度为2～3微米之间。
如权利要求1所述的IGBT半导体器件，其特征在于：所述N+深阱的深度为4～6微米之间。
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