[实用新型]半导体元件沟槽式结构

摘要

本实用新型公开了一种半导体元件沟槽式结构，其包含一半导体基板、一外延层、一离子注入层、一终止区介电薄膜层、一有源区介电层及一第一多晶硅层。外延层形成于半导体基板上，以第二掺杂浓度掺杂第一型半导体杂质，并开设多个有源区沟槽及至少一终止区沟槽。离子注入层形成于所述多个有源区沟槽内，有源区介电层覆设于离子注入层，第一多晶硅层覆设于有源区介电层并填满所述多个有源区沟槽，终止区介电薄膜层则包覆终止区沟槽。其中第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，且终止区沟槽的深度大于所述多个有源区沟槽的深度，且趋近于逆向击穿时耗尽区的深度。本实用新型可达到降低反向漏电流并且增加反向击穿电压的功效。

主权项

一种半导体元件沟槽式结构，包含： 一半导体基板，以一第一掺杂浓度掺杂有一第一型半导体杂质； 一外延层，形成于该半导体基板上，以一第二掺杂浓度掺杂有该第一型半导体杂质，并且开设： 多个有源区沟槽，开设于该外延层内；以及 至少一终止区沟槽，形成于该外延层内，并与所述多个有源区沟槽相间隔； 一离子注入层，通过在所述多个有源区沟槽的底部掺杂一第二型半导体杂质而形成于所述多个有源区沟槽内； 一终止区介电薄膜层，包覆该终止区沟槽； 一有源区介电层，在所述多个有源区沟槽中覆设于该离子注入层；以及 一第一多晶硅层，覆设于该有源区介电层，并且填满所述多个有源区沟槽； 其中，该第一掺杂浓度系大于该第二掺杂浓度，且该终止区沟槽的深度大于所述多个有源区沟槽的深度，且趋近于逆向击穿时耗尽区的深度。