[实用新型]外延缺陷分析结构有效
| 申请号： | 201220641783.8 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN202917457U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本实用新型对外延缺陷分析结构中的阻挡层保护区域所保护的半导体衬底和外延生长区域中形成的外延层进行缺陷相关性分析对比，判断形成外延层中的外延缺陷来自于外延工艺、外延前半导体制造工艺、还是半导体衬底，避免进行缺陷相关性分析对比时，形成有外延的半导体衬底与未做外延的半导体衬底不是同一半导体衬底，导致在材料选取和外延加工过程中所选取样品存在不完全一致的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 缺陷 分析 结构 | ||
【主权项】：
一种外延缺陷分析结构，包括：一半导体衬底，所述半导体衬底的一部分表面形成有一外延生长区域，暴露出一阻挡层保护区域保护的所述半导体衬底的另一部分表面；一外延层，形成于所述外延生长区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
