[实用新型]外延缺陷分析结构有效
| 申请号： | 201220641783.8 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN202917457U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 缺陷 分析 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延缺陷分析结构，包括：
一半导体衬底，所述半导体衬底的一部分表面形成有一外延生长区域，暴露出一阻挡层保护区域保护的所述半导体衬底的另一部分表面；
一外延层，形成于所述外延生长区域上。
2.如权利要求1所述的外延缺陷分析结构，其特征在于，还包括一半导体结构，分别形成于所述外延生长区域中以及部分所述阻挡层保护区域中。
3.如权利要求1所述的外延缺陷分析结构，其特征在于，对于双极型电路所用的半导体衬底为<111>晶向的P型半导体衬底。
4.如权利要求1所述的外延缺陷分析结构，其特征在于，所述外延层的厚度为1～100um。
5.如权利要求1所述的外延缺陷分析结构，其特征在于，所述阻挡层保护区域的图形的横向和纵向的最小尺寸均大于外延层厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
