[实用新型]一种功率电子器件双面粘接结构有效
| 申请号： | 201220516554.3 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN202796905U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 梅云辉;连娇愿;陆国权;陈旭 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/367 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公布了一种功率电子器件双面粘接结构。在芯片与一侧基板之间设置有金属管层，金属管的数量大于等于2，金属管间的中心间距P大于金属管直径D，金属管长度L小于等于芯片尺寸；两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。该方法是通过在芯片与一侧基板连接处加入银管层来实现。芯片与基板，芯片与银管以及银管与基板之间均采用纳米银焊膏粘接。由于芯片厚度不等造成的封装困难。加入银管层，使得芯片上的应力分布更加均匀；银管易于变形的特点，释放芯片工作过程中产生的应力，起到保护芯片的作用。芯片双面粘接基板结构可同时实现多芯片封装，及不等厚度芯片封装等，提高了结构的封装功率、热性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 电子器件 双面 结构 | ||
【主权项】：
一种功率电子器件双面粘接结构，其特征是在芯片与一侧基板之间设置有金属管层，金属管的数量大于等于2，金属管间的中心间距P大于金属管直径D，金属管长度L小于等于芯片尺寸；两块基板上涂刷的连接材料尺寸大于等于芯片尺寸。
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