[实用新型]一种高压半导体器件及其终端有效
| 申请号： | 201220505060.5 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202839619U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压半导体器件及其终端，该高压半导体器件终端包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内；所述场限环为三层掺杂区结构，其中，第一掺杂区位于本体层表面内，与第一掺杂区掺杂类型相反的第二掺杂区包围第一掺杂区，与所属第一掺杂区掺杂类型相同的第三掺杂区包围第二掺杂区，且第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。本实用新型实施例的三层掺杂区构成的场限环，提高了高压半导体器件的耐压能力，同时降低了高压半导体器件的终端面积，节省了器件的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体器件 及其 终端 | ||
【主权项】：
一种高压半导体器件终端，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内，所述场限环包括：位于所述本体层表面内的第一掺杂区；位于所述本体层表面内且包覆所述第一掺杂区的第二掺杂区；位于所述本体层表面内且包覆所述第二掺杂区的第三掺杂区；其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相同，第三掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相反，与所述本体层的掺杂类型相同，且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。
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