[实用新型]四方扁平无引脚的MOS封装结构有效
| 申请号： | 201220421180.7 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202796918U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括第一导电焊盘、第二导电焊盘和第三导电焊盘，第三导电焊盘位于MOSFET芯片一侧，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型MOS封装结构有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 四方 扁平 引脚 mos 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种四方扁平无引脚的MOS封装结构，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片（1）上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括第一导电焊盘（4）、第二导电焊盘（5）和第三导电焊盘（3），第三导电焊盘（3）位于MOSFET芯片（1）一侧，所述第一导电焊盘（7）和第二导电焊盘（8）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8）；一铝导体带（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间；一金属线（6）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间。
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