[实用新型]半导体装置

摘要

本实用新型提供了一种半导体装置，其具有半导体衬底(1)，在该半导体衬底(1)的外周区域中，第2半导体区域(32)达到半导体衬底(1)的第2主面(21)，从半导体衬底(1)的第2主面(21)的上方观察，在活性层形成区域的角部中，第4半导体区域(4)和第2半导体区域(32)相接。通过本实用新型提供的半导体装置，在活性层形成区域的角部中，由于不存在第3半导体区域(31)，从而防止了在IGBT的外周区域的角部附近的地方开始发生损坏的情况。

主权项

一种半导体装置，具有半导体衬底（1），其特征在于，所述半导体衬底（1）具有：第1半导体区域（7），其处于所述半导体衬底（1）的第1主面（22）上，并具有第1导电类型；第2半导体区域（32），其形成于所述第1半导体区域（7）之上，并具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；以及第3半导体区域（31），其与所述第2半导体区域（32）相接，并具有所述第2导电类型，所述第3半导体区域（31）比所述第2半导体区域（32）的杂质浓度高，其中，在所述半导体衬底（1）的活性层形成区域中具有：第4半导体区域（4），其形成于所述第3半导体区域（31）之上，并具有所述第1导电类型；第5半导体区域（3），其与所述第4半导体区域（4）相接，并具有所述第2导电类型；沟槽（2），其从所述第5半导体区域（3）的上部的面开始，至少达到所述第4半导体区域（4）的下部的面；绝缘膜（10），其形成于所述沟槽（2）的侧面及底面；以及控制电极（11），其形成于所述绝缘膜（10）的内侧，其中，在包围所述半导体衬底（1）的活性层形成区域的外周区域中，所述第2半导体区域（32）达到所述半导体衬底（1）的第2主面（21），从半导体衬底（1）的第2主面（21）的上方观察，在所述活性层形成区域的角部中，所述第4半导体区域（4）和所述第2半导体区域（32）相接。