[实用新型]一种光伏探测器有效
| 申请号： | 201220333765.3 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN202797042U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王四新;刘先章;宋亚美 | 申请（专利权）人： | 北京瑞普北光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种能够在室温条件下工作的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 | ||
【主权项】：
一种光伏探测器，其特征在于：包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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