[实用新型]一种光伏探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种光伏探测器，尤其是一种量子阱红外光伏探测器。

背景技术

现有的光伏探测器包括InSb红外探测器、HgCdTe红外探测器和量子阱红外探测器，都是在低温下工作，需要通过液氮杜瓦或循环制冷机制冷，严重限制了光伏探测器的应用范围。

实用新型内容

本实用新型提供了一种能够在室温条件下工作的光伏探测器。

实现本实用新型目的的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。

本实用新型的光伏探测器的有益效果如下：

本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。

附图说明

图1为本实用新型的光伏探测器的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底5、GaAs缓冲层4、GaAs下电极层3、多量子阱层2和GaAs顶部电极层1；所述量子阱层2包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。

本实用新型的光伏探测器的优点如下：

本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。

上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。