[实用新型]触发电流对称的双向晶闸管有效
| 申请号： | 201220300404.9 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN202736911U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 邵长海;车振华;穆欣宇;王研 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/747 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 触发电流对称的双向晶闸管属于半导体器件制造技术领域。现有双向晶闸管触发电流对称性较差，对于有些对触发电流对称性要求较高的应用领域，这种器件不能满足其要求。本实用新型具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P-区上、N+区与门极G相邻处，由主电极MT1与P-区接触区域形成一个直接旁路短路区，该直接旁路短路区是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。本实用新型Ⅰ+触发的触发电流IGTⅠ与Ⅲ-触发的触发电流IGTⅢ相当，触发电流对称，实现电参数的最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 触发 电流 对称 双向 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种触发电流对称的双向晶闸管，具有NPNPN五层结构，主电极MT1位于器件上表面，主电极MT2位于器件下表面，公用的门电极G位于器件上表面，其特征在于，在器件上表面P‑区（2）上、N+区（4）与门极G相邻处，由主电极MT1与P‑区（2）接触区域形成一个直接旁路短路区（3），该直接旁路短路区（3）是一个条形导电区，与相邻的管芯划片线平行，宽度为10~100μm。
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