[实用新型]一种非晶硅薄膜的制作装置有效
| 申请号: | 201220238530.6 | 申请日: | 2012-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN202595271U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
| 发明(设计)人: | 邓文忠 | 申请(专利权)人: | 浙江慈能光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/24 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315336 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种非晶硅薄膜的制作装置,所述装置包括玻璃基板、阻抗匹配器和射频发生电源,所述玻璃基板设置在真空腔室中,所述玻璃基板通过阻抗匹配器与射频发生电源相连接。本实用新型通过在制造太阳能电池的玻璃基板上接入一个自动抗干扰、抵消反射功能的阻抗匹配器,将真空腔室激发电极组合成一个负载,当射频电源输出时候,总有一部分虚部部分影响电源的功率输出,根据镀膜的具体条件及电极尺寸,被置于在真空室外的延伸性阻抗匹配器的阻抗,可以被不断地调整,以达到所需的镀膜均匀度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 制作 装置 | ||
【主权项】:
一种非晶硅薄膜的制作装置,其特征在于,所述装置包括玻璃基板、阻抗匹配器和射频发生电源,所述玻璃基板设置在真空腔室中,所述玻璃基板通过阻抗匹配器与射频发生电源相连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





